筆試題（卡諾圖）

21、邏輯方面數(shù)字電路的卡諾圖化簡(jiǎn)，時(shí)序（同步異步差異），觸發(fā)器有幾種（區(qū)別，優(yōu)
點(diǎn)），全加器等等，

筆試題（卡諾圖）

。（未知）
22、卡諾圖寫出邏輯表達(dá)使。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題）
23、化簡(jiǎn)F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。（威盛）
24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-
well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the
operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威
盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09）
25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define
the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
26、為什么一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的倒相器中P管的寬長(zhǎng)比要比N管的寬長(zhǎng)比大？（仕蘭微電子）
27、用mos管搭出一個(gè)二輸入與非門。（揚(yáng)智電子筆試）
28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and
explain which input has faster response for output rising edge.(less delay
time)，

資料共享平臺(tái)

《筆試題（卡諾圖）》(http://www.szmdbiao.com)。（威盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09）
29、畫出NOT,NAND,NOR的符號(hào)，真值表，還有transistor level的電路。（Infineon筆
試）
30、畫出CMOS的圖，畫出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題）
31、用一個(gè)二選一mux和一個(gè)inv實(shí)現(xiàn)異或。（飛利浦－大唐筆試）
32、畫出Y=A*B+C的cmos電路圖。（科廣試題）
33、用邏輯們和cmos電路實(shí)現(xiàn)ab+cd。（飛利浦－大唐筆試）
34、畫出CMOS電路的晶體管級(jí)電路圖，實(shí)現(xiàn)Y=A*B+C(D+E)。（仕蘭微電子）
35、利用4選1實(shí)現(xiàn)F(x,y,z)=xz+yz'。（未知）
36、給一個(gè)表達(dá)式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少數(shù)量的與非門實(shí)現(xiàn)（實(shí)際上就是化
簡(jiǎn)）。
37、給出一個(gè)簡(jiǎn)單的由多個(gè)NOT,NAND,NOR組成的原理圖，根據(jù)輸入波形畫出各點(diǎn)波形。
（Infineon筆試）
38、為了實(shí)現(xiàn)邏輯（A XOR B）OR （C AND D），請(qǐng)選用以下邏輯中的一種，并說明為什
么？1）INV   2）AND   3）OR   4）NAND   5）NOR   6）XOR  答案：NAND（未知）
39、用與非門等設(shè)計(jì)全加法器。（華為）
40、給出兩個(gè)門電路讓你分析異同。（華為）

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