Magima筆試題

一.填空
1.集成電路的分類，按材料，工藝
2.集成電阻的計算，以及其制造工藝
3.Vtp，Vtn的正負判斷，分別對于增強型和耗盡型
4.CMOS電路功耗包括哪兩個部分，功耗設計主要考慮的因素
……（還有幾道不記得了）
二.填表
全定制，門陣列，F(xiàn)PGA各自單元模塊，連線的性質(zhì)……
三.填圖
CMOS工藝流程填圖畫圖
四.問答
1.CMOS單元負載較大的電容時，只有提高W，這樣會使W*L增加，相對前級又時一個大電容，如何解決這一矛盾？
2.結合軟件談談全定制集成電路設計流程
3.談談對Layout設計的看法
五.翻版圖或者畫版圖，選一
第二卷
1.什么是格雷碼？
2.Nyquist采樣定例
3.球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功
4.運算放大器1，…………2，有幾級，各級之間耦合方式有幾種，分析各種的優(yōu)劣，

Magima筆試題

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收集二：1．畫出NMOS的特性曲線（指明飽和區(qū)，截至區(qū)，線性區(qū)，擊穿區(qū)和C-V曲線）
2．2.2um工藝下，Kn＝3Kp，設計一個反相器，說出器件尺寸。
3．說出制作N-well的工藝流程。
4．雪崩擊穿和齊納擊穿的機理和區(qū)別。
5．用CMOS畫一個D觸發(fā)器（clk，d，q，q-）

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