EB-PVD工藝中基板溫度對(duì)材料形成過(guò)程的影響

針對(duì)電子束物理氣相沉積(EB-PVD)設(shè)備的特點(diǎn),研究基板溫度對(duì)材料形成過(guò)程的影響.首先建立薄膜生長(zhǎng)的基本擴(kuò)散模型,然后用嵌入原子法(EAM)計(jì)算擴(kuò)散激活能,以入射粒子躍遷概率表征入射原子在表面上的穩(wěn)定程度,研究基板溫度對(duì)低能Ni在Ni表面上擴(kuò)散過(guò)程的影響.分別在較低(250～450K)和較高(750～1 000 K)兩種溫度下進(jìn)行上述計(jì)算.研究結(jié)果表明,基板溫度對(duì)躍遷概率的影響存在臨界值,Ni為375 K;當(dāng)基板溫度低于375 K時(shí),基板溫度對(duì)躍遷概率影響很小,而當(dāng)基板溫度高于375 K時(shí),躍遷概率隨基板溫度增加呈指數(shù)增長(zhǎng);基板溫度較低(Ni低于375 K)時(shí)入射原子在表面上不擴(kuò)散,易形成多孔疏松狀材料,而較高的基板溫度則有利于密實(shí)材料的形成.

作 者： 單英春 赫曉東 李明偉 李垚 Shan Yingchun He Xiaodong Li Mingwei Li Yao   作者單位： 哈爾濱工業(yè)大學(xué)復(fù)合材料與結(jié)構(gòu)研究所,哈爾濱,150001  刊 名： 宇航材料工藝  ISTIC PKU 英文刊名： AEROSPACE MATERIALS & TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2006 36(1)  分類(lèi)號(hào)： V25  關(guān)鍵詞： EB-PVD   薄膜生長(zhǎng)   基板溫度   躍遷概率  

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