3-D C/SiC復(fù)合材料的氧化行為

研究了3-D C/SiC復(fù)合材料的氧化行為.在航空發(fā)動(dòng)機(jī)燃?xì)猸h(huán)境中的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,C/SiC復(fù)合材料的氧化失重與材料內(nèi)部的大量孔隙以及涂層和基體中的微裂紋有關(guān),其中基體內(nèi)部的孔隙起著主要作用.在燃?xì)庵醒趸��?C/SiC復(fù)合材料力學(xué)性能的降低幅度比在干燥空氣中的小,這是由于燃?xì)庵械难醴謮狠^低.

作 者： 殷小瑋 成來(lái)飛 張立同 徐永東 YIN Xiao-wei CHENG Lai-fei ZHANG Li-tong XU Yong-dong   作者單位： 西北工業(yè)大學(xué),凝固技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,陜西,西安,710072  刊 名： 航空學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA AERONAUTICA ET ASTRONAUTICA SINICA  年，卷(期)： 1999 20(6)  分類號(hào)： V257  關(guān)鍵詞： 碳化硅   復(fù)合材料   燃?xì)?  氧化  

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