多孔氮化硅表面封孔增強(qiáng)涂層研究

摘要：以CaO-SiO2-B2O3體系作為α-Si3N4的結(jié)合劑和助燒劑,采用溶膠-凝膠法在多孔氮化硅表面制備了防潮增強(qiáng)涂層.采用X射線衍射(XRD)方法對(duì)涂層進(jìn)行了相結(jié)構(gòu)分析;用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察了涂層的微觀形貌;用阿基米德法測(cè)量了封孔前后基體的密度、吸水率和顯氣孔率;分別在SANS電子式材料實(shí)驗(yàn)機(jī)和1MHz LCR測(cè)試儀上測(cè)量了封孔前后材料的抗彎強(qiáng)度、介電常數(shù)和介電損耗.結(jié)果表明:封孔防潮處理使基體吸水率下降了90.99%～96.97%,強(qiáng)度提高了9%～22%,而對(duì)多孔體的密度、介電常數(shù)和介電損耗影響很小. 作者： 王樹彬李世杰張躍 Author： WANG Shu-Bin  LI Shi-Jie  ZHANG Yue 作者單位： 北京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,北京,100083 期 刊： 無機(jī)材料學(xué)報(bào)   ISTICEISCIPKU Journal： JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS 年，卷(期)： 2008, 23(4) 分類號(hào)： V254 關(guān)鍵詞： 氮化硅    多孔陶瓷    封孔    防潮涂層    機(jī)標(biāo)分類號(hào)： TG1 TQ1 機(jī)標(biāo)關(guān)鍵詞： 多孔    氮化    硅表面    封孔    增強(qiáng)    介電損耗    介電常數(shù)    掃描電子顯微鏡    吸水率    涂層    相結(jié)構(gòu)分析    材料實(shí)驗(yàn)機(jī)    顯氣孔率    微觀形貌    射線衍射    密度    抗彎強(qiáng)度    基體    防潮    測(cè)量 基金項(xiàng)目：

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