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壓縮真空場中量子存儲單元的消相干特性
兩能級原子作為量子存儲單元,當存儲單元置于壓縮真空庫(人工制備的庫)時,利用存儲單元約化密度算符非對角元的時間演化,研究單光子過程和簡并雙光子過程中存儲單元的消相干特性.在壓縮真空庫中,可以消除量子存儲單元的消相干.
作 者： 張登玉 作者單位： 湖南衡陽師范學院物理系,湖南,衡陽,421008 刊 名： 光電子·激光 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER 年，卷(期)： 2002 13(6) 分類號： O431.2 關鍵詞： 壓縮真空庫 兩能級原子 量子存儲單元 簡并雙光子 消相干【壓縮真空場中量子存儲單元的消相干特性】相關文章：
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