點(diǎn)源γ光子穿越特定形狀屏蔽層的Monte Carlo計(jì)算與模擬

采用Monte Carlo方法對(duì)點(diǎn)源γ光子穿越球殼形屏蔽層的問(wèn)題進(jìn)行了蒙特卡羅計(jì)算與模擬,并用VC++編寫了軟件對(duì)光子運(yùn)行過(guò)程進(jìn)行模擬,通過(guò)對(duì)模擬結(jié)果γ能譜的分析,顯示模擬結(jié)果能較好地反映實(shí)際光子的運(yùn)動(dòng)過(guò)程.利用所編軟件對(duì)不同材料不同厚度的介質(zhì)進(jìn)行模擬, 可得出厚度為4cm的鉛做介質(zhì)對(duì)光子的屏蔽效果較好.

作 者： 郭生良 葛良全 程鋒 GUO Sheng-liang GE Linag-quan CHENG Feng   作者單位： 成都理工大學(xué)核技術(shù)與自動(dòng)化工程學(xué)院,成都,610059  刊 名： 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù)  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2007 27(3)  分類號(hào)： O411.2  關(guān)鍵詞： 蒙特卡羅模擬   點(diǎn)源   γ能譜  

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