一維光子晶體結構參數(shù)對禁帶帶隙的影響研究

采用平面波法(PWM)計算一維光子晶體的帶隙結構.分別就構造一維光子晶體結構的高低折射膜層的介電常數(shù)及填充比(高折射膜層的厚度與晶體周期長度的比值)對禁帶帶隙寬度的影響作出分析.通過最小二乘曲線和曲面擬合得到帶寬與介電常數(shù)或帶寬與填充比的函數(shù)關系圖,以確定最佳的禁帶帶寬,從而設計一維光子晶體的周期結構.對高低折射膜層為GaAs/空氣組成的一維光子晶體,介電常數(shù)比約為13/1,當填充比為0.16時,計算得禁帶帶寬為0.2564×2πc/Λ,禁帶的中心頻率為0.3478×2πc/Λ,與實驗數(shù)據(jù)吻合.

作 者： 劉兵 竺子民 LIU Bing ZHU Zi-min   作者單位： 華中科技大學,光電子科學與技術學院,湖北,武漢,430074  刊 名： 應用光學  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF APPLIED OPTICS  年，卷(期)： 2007 28(4)  分類號： O734.2 TN303-34  關鍵詞： 平面波法   光子禁帶   帶隙寬度   最小二乘曲線和曲面擬合  

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