生長溫度對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長ZnO薄膜質(zhì)量的影響

以Zn(C2H5)2和CO2為反應(yīng)源,在低溫下用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法,在Si襯底上外延生長了高質(zhì)量的ZnO薄膜.用X射線衍射譜和光致發(fā)光譜研究了襯底溫度對(duì)ZnO薄膜質(zhì)量的影響.X射線衍射結(jié)果表明,在生長溫度為230℃時(shí)制備出了高質(zhì)量(0002)擇優(yōu)取向的ZnO薄膜,其半高寬為0.26°.光致發(fā)光譜顯示出強(qiáng)的紫外自由激子發(fā)射與微弱的與氧空位相關(guān)的深缺陷發(fā)光,表明獲得了接近化學(xué)配比的ZnO薄膜.

作 者： 支壯志 李炳生 劉益春 呂有明 申德振 張吉英 孔祥貴 范希武   作者單位： 支壯志(東北師范大學(xué)物理系,長春,130024)

李炳生,劉益春,呂有明,申德振,張吉英,孔祥貴,范希武(中國科學(xué)院激發(fā)態(tài)物理開放實(shí)驗(yàn)室,中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所,長春,130021) 

刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(1)  分類號(hào)： O484.4 O441.6  關(guān)鍵詞： ZnO薄膜   等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積   二乙基鋅  

【生長溫度對(duì)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長ZnO薄膜質(zhì)量的影響】相關(guān)文章：

自持金剛石厚膜上沉積生長ZnO薄膜及發(fā)光特性04-26

堇青石基體化學(xué)氣相沉積碳化硅薄膜及其性能表征04-26

納米ZnO生長及性質(zhì)分析04-26

Ag摻雜對(duì)ZnO薄膜的光電性能影響04-26

等離子體增強(qiáng)反應(yīng)蒸發(fā)沉積的氟摻雜氧化銦薄膜的性質(zhì)04-27

氣相CdCl2退火對(duì)CdTe多晶薄膜性能的影響04-26

對(duì)激光燒蝕沉積Ag薄膜生長率和環(huán)境氣壓關(guān)系的理論解析04-26

生長溫度對(duì)納米氧化鋅場發(fā)射性能的影響04-26

溫度對(duì)3種蚜蟲生長發(fā)育及繁殖的影響11-17

流速與溫度的交互作用對(duì)銅綠微囊藻生長的影響04-26