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雙曲正割平方勢與量子阱的電子躍遷
引入了雙曲正割平方勢來描述超晶格量子阱中的電子運動, 利用這個相互作用勢把電子的Schr?dinger方程化為了超幾何方程, 并以Ga1-xAlxAs/GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱為例計算了電子的帶間躍遷.結(jié)果表明,阱內(nèi)的能級數(shù)目和躍遷能量與系統(tǒng)參數(shù)有關(guān).于是,可望通過對勢阱參數(shù)的控制來得到不同光電特性的量子阱材料.
作 者: 胡西多 羅詩裕 邵明珠 HU Xi-duo LUO Shi-yu SHAO Ming-zhu 作者單位: 東莞理工學(xué)院,電子工程系,廣東,東莞,523106 刊 名: 半導(dǎo)體光電 ISTIC PKU 英文刊名: SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS 年,卷(期): 2007 28(5) 分類號: O471.5 關(guān)鍵詞: 超晶格 量子阱 超幾何方程 單粒子能級【雙曲正割平方勢與量子阱的電子躍遷】相關(guān)文章:
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