摻磷納米硅薄膜的微結(jié)構(gòu)

采用喇曼(Raman)散射譜、高分辨率電子顯微鏡(HRTEM)和原子力顯微鏡(AFM)對(duì)摻磷納米硅薄膜的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,并對(duì)納米硅薄膜的傳導(dǎo)機(jī)制進(jìn)行了探討.結(jié)果表明:摻磷納米硅薄膜由尺寸為2～4*#nm的晶粒和2～3個(gè)原子層厚的非晶界面構(gòu)成,計(jì)算得到薄膜的晶態(tài)比為40%～55%.與本征納米硅薄膜相比,摻磷納米硅薄膜晶粒尺寸和晶態(tài)比沒有明顯變化,電導(dǎo)率卻提高了2個(gè)數(shù)量級(jí).隨著摻磷濃度增加,納米硅薄膜的晶粒尺寸、晶態(tài)比及電導(dǎo)率逐漸增大.AFM觀察表明摻磷納米硅薄膜由尺寸介于15～20*#nm的團(tuán)簇構(gòu)成,團(tuán)簇排列具有帶狀特征.

作 者： 于曉梅 王金良 江興流 王天民   作者單位： 北京航空航天大學(xué),理學(xué)院  刊 名： 北京航空航天大學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF AERONAUTICS AND ASTRONAUTICS  年，卷(期)： 2002 28(5)  分類號(hào)： O484.1  關(guān)鍵詞： 硅薄膜   晶粒   顯微鏡   團(tuán)簇  

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