退火過程中自組織生長(zhǎng)Ge量子點(diǎn)的變化?

在超高真空系統(tǒng)中,用掃描隧道顯微鏡(STM)和原子力顯微鏡(AFM)研究了自組織生長(zhǎng)的Ge量子點(diǎn)經(jīng)不同溫度退火后的變化.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)退火溫度為630℃時(shí),出現(xiàn)了許多新的量子點(diǎn).與原來的在分子束外延過程中形成的無失配位錯(cuò)的量子點(diǎn)相比,新形成的量子點(diǎn)被認(rèn)為是存在位錯(cuò)的島.

作 者： 胡冬枝 楊建樹 蔡群 張翔九 胡際璜 蔣最敏 Hu Dongzhi Yang Jianshu Cai Qun Zhang Xiangjiu Hu Jihuang Jiang Zuimin   作者單位： 復(fù)旦大學(xué)應(yīng)用表面物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海,200433  刊 名： 半導(dǎo)體學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2002 23(6)  分類號(hào)： O485  關(guān)鍵詞： 量子點(diǎn)   硅基材料   形貌評(píng)價(jià)   AFM   quantum dots   Si-based materials   evolution of morphology   atomic force microscopy  

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