VO2晶體電子結構及其摻雜的第一性原理研究

運用密度泛函平面波贗勢(PWP)和廣義梯度近似(GGA)方法,對二氧化釩(VO2)兩種不同晶體電子結構進行了計算.研究了低溫單斜晶型和高溫四方晶型結構的VO2電子態(tài)密度(DOS)和能帶(energy band)結構,通過分析發(fā)現(xiàn),四方晶的金屬性比較明顯,這是由于電子態(tài)密度和能帶結構分析結果表明不同特性產(chǎn)生的原因是V原子的3d電子貢獻不同導致的.本文中我們還將部分O原子替換為F原子后對單斜晶替位摻雜進行了的計算討論,本文的計算結果都較好地符合實驗結果,表明密度泛函平面波贗勢和廣義梯度近似方法可以用來描述VO2的結構和性質.我們認為,這種方法應用于描述氧化物的電子結構和性質是一種新的探索.

作 者： 胡永金 趙江 崔磊 滕玉永 曾祥華 HU Yong-jin ZHAO Jiang CUI Lei TENG Yu-yong ZENG Xiang-hua   作者單位： 揚州大學物理科學與技術學院,揚州,225002  刊 名： 原子與分子物理學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2007 24(5)  分類號： O481.1  關鍵詞： 態(tài)密度   能帶結構   單斜晶   四方晶  

【VO2晶體電子結構及其摻雜的第一性原理研究】相關文章：

LiNiO2及摻雜化合物的結構與穩(wěn)定性的第一性原理研究04-27

摻雜CLBO晶體的生長及性能研究04-28

第一性原理計算LiNBe(N=1～12)團簇的基態(tài)結構及其電子性質04-29

分子線電子輸運特性的第一性原理研究04-28

第一性原理計算MgBeN(N=1-7)團簇的最低能量結構及其電子性質04-26

不同摻雜濃度Ce:YAP閃爍晶體的性能研究04-28

第一性原理計算Li2BeN(N=1～10)團簇的最低能量結構及其電子性質04-29

一維摻雜光子晶體的缺陷模和偏振特性研究04-28

Yb:YAG晶體的可見熒光及其機理研究04-29

DFT方法研究LaNi5M(M=0,D,Al)的晶體結構和電子結構04-26