雜質(zhì)吸收對(duì)光子晶體缺陷模偏振態(tài)的影響

引入復(fù)折射率并利用特征矩陣法,研究了雜質(zhì)的吸收對(duì)TE波和TM波缺陷模透射峰的影響.得出:雜質(zhì)的消光系數(shù)對(duì)TE波和TM波的缺陷模透射峰都有顯著的影響,但對(duì)TE波缺陷模的影響比對(duì)TM波缺陷模的影響更為明顯.當(dāng)消光系數(shù)一定時(shí),TE波的缺陷模透射峰隨入射角的增大而迅速減小,而TM波的缺陷模透射峰隨入射角的增大而增大.利用這一特性可以設(shè)計(jì)光子晶體偏振濾波器.

作 者： 劉啟能 LIU Qi-neng   作者單位： 重慶工商大學(xué),理學(xué)院,重慶,400067  刊 名： 半導(dǎo)體光電  ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS  年，卷(期)： 2007 28(6)  分類號(hào)： O436  關(guān)鍵詞： 光子晶體   特征矩陣   消光系數(shù)   缺陷模   偏振態(tài)  

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