Ce:KNSBN光折變晶體兩波耦合響應(yīng)時(shí)間特性研究

在寫入光分別為e光和o光時(shí),實(shí)驗(yàn)測量了Ce:KNSBN晶體兩波耦合響應(yīng)時(shí)間與總寫入光強(qiáng)、寫入光強(qiáng)比和寫入光夾角的關(guān)系,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與理論擬合結(jié)果相吻合,并由晶體響應(yīng)時(shí)間特性獲得了晶體有效電光系數(shù)和有效光折變電荷密度參數(shù).

作 者： 郭慶林 劉峰 梁寶來   作者單位： 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,保定,071002  刊 名： 人工晶體學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2002 31(6)  分類號(hào)： O734  關(guān)鍵詞： 光折變晶體   兩波耦合   響應(yīng)時(shí)間  

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