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空位缺陷對(duì)高自旋極化材料Fe3F4磁電性能的影響

時(shí)間:2023-05-02 14:48:04 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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空位缺陷對(duì)高自旋極化材料Fe3F4磁電性能的影響

Fe3F4是一種高自旋極化材料,在自旋電子器件中具有廣闊的應(yīng)用前景.采用第一性原理贗勢(shì)法計(jì)算了3種Fe空位缺陷對(duì)Fe3F4磁電性能(能態(tài)密度、電荷分布、分子磁矩等)的影響,并利用配位場(chǎng)理論分析了3種空位缺陷影響Fe3F4磁電性能的微觀機(jī)理.

作 者: 孫雷 董會(huì)寧 劉俊 李登峰 SUN Lei DONG Hui-ning LIU Jun LI Deng-feng   作者單位: 重慶郵電大學(xué),應(yīng)用物理研究所,重慶,400065  刊 名: 重慶郵電大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)  ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF CHONGQING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS(NATURAL SCIENCE)  年,卷(期): 2007 19(6)  分類號(hào): O614.81+1 O614.33+1  關(guān)鍵詞: Fe3F4   空位缺陷   磁電性能   自旋極化  

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