非晶硅薄膜的低溫快速晶化及其結(jié)構(gòu)分析?

在鍍鋁的廉價(jià)玻璃襯底上高速沉積的非晶硅薄膜在不同的溫度下退火10min.退火溫度為500℃時(shí),薄膜表面形成了硅鋁的混合相, 非晶硅薄膜開(kāi)始呈現(xiàn)了晶化現(xiàn)象;退火溫度為550℃時(shí),大部分(約80%)的非晶硅晶化為多晶硅,平均晶粒尺寸為500nm;退火溫度為600℃時(shí),幾乎所有的非晶硅都轉(zhuǎn)化為多晶硅,其平均晶粒尺寸約為1.5μm.

作 者： 林揆訓(xùn) 林璇英 梁厚蘊(yùn) 池凌飛 余楚迎 黃創(chuàng)君   作者單位： 汕頭大學(xué)物理系,汕頭,515063  刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(4)  分類號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： 固相晶化   多晶硅薄膜   非晶硅薄膜  

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