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電離對(duì)晶體生長(zhǎng)的作用

時(shí)間:2023-05-02 20:55:08 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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電離對(duì)晶體生長(zhǎng)的作用

為什么有的晶體材料容易生長(zhǎng),而有的則很難.本文通過(guò)分析溶液或熔體的電離狀態(tài)對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響,認(rèn)為晶體生長(zhǎng)的難易程度主要決定于該晶體材料在液相狀態(tài)下電離度的大小,電離是所有化學(xué)鍵晶體生長(zhǎng)的必要條件.通過(guò)比較各類(lèi)晶體生長(zhǎng)難易程度與價(jià)鍵結(jié)構(gòu)及其化學(xué)元素組成的關(guān)系,認(rèn)為:以偏離子性鍵、金屬鍵結(jié)合的材料,在熔體狀態(tài)下的電離度大,容易形成晶相;以偏共價(jià)鍵結(jié)合的化合物電離度小,難于生長(zhǎng)單晶體,但容易制作非晶或納米材料.

作 者: 鐘志勇   作者單位: 爍光特晶科技有限公司,人工晶體研究院,北京,100018  刊 名: 人工晶體學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年,卷(期): 2003 32(2)  分類(lèi)號(hào): O781  關(guān)鍵詞: 晶體生長(zhǎng)   電離度   離子性  

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