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中國800 MeV電子儲存環(huán)的頭尾不穩(wěn)定性研究
從理論上和實驗上論證了我國800 MeV電子儲存環(huán)的頭尾不穩(wěn)定性閾值流強(qiáng)比國內(nèi)外同類加速器高出近百倍的原因.指出這是由于真空室中清除電極產(chǎn)生的八極矩分量使得粒子自由振蕩頻率有一個分散性,提供了足夠的朗道阻尼的結(jié)果.
王筠華,孫葆根,金玉明(中國科技大學(xué)國家同步輻射實驗室,合肥230029)
刊 名: 深圳大學(xué)學(xué)報(理工版) ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY (SCIENCE & ENGINEERING) 年,卷(期): 2003 20(4) 分類號: O572.211 TL501 關(guān)鍵詞: 頭尾不穩(wěn)定性 清除電極 頻率散度【中國800 MeV電子儲存環(huán)的頭尾不穩(wěn)定性研究】相關(guān)文章:
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