間苯二胺的電化學(xué)及紫外-可見(jiàn)薄層光譜電化學(xué)研究

研究了間苯二胺(MPD)在金電極和SnO2∶F膜電極上的循環(huán)伏安行為及在SnO2∶F膜電極上的紫外-可見(jiàn)薄層光譜電化學(xué)性質(zhì). 獲得了間苯二胺在SnO2∶F膜電極上電氧化的薄層恒電勢(shì)電解-吸收光譜圖, 采用雙對(duì)數(shù)法對(duì)紫外-可見(jiàn)薄層光譜電化學(xué)數(shù)據(jù)進(jìn)行了處理. 研究了間苯二胺的光譜及電化學(xué)性質(zhì), 求得了間苯二胺的動(dòng)力學(xué)修飾式量電位E0?和αn等熱力學(xué)參數(shù).

作 者： 焦奎 呂剛 楊濤 吳俊峰   作者單位： 青島科技大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院,青島,266042  刊 名： 高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年，卷(期)： 2003 24(6)  分類(lèi)號(hào)： O657.1  關(guān)鍵詞： 紫外-可見(jiàn)薄層光譜電化學(xué)   循環(huán)伏安法   單電位躍-計(jì)時(shí)吸收光譜法   間苯二胺  

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