液相電化學沉積法制備高氮含量CNx薄膜及性能的研究

采用液相電化學沉積法, 以二氰二胺的丙酮溶液為沉積液, 以鍍有ITO(銦錫氧化膜)的導電玻璃為襯底制備了CNx薄膜. 初步探討了沉積溫度和沉積電壓對薄膜中氮含量的影響. 通過XPS、 FTIR光譜、 SEM和US-Vis光譜對得到的CNx薄膜的化學結(jié)合狀態(tài)、結(jié)構(gòu)形貌和光學性質(zhì)進行了表征, 并用高電阻儀對薄膜的絕緣性進行了分析. XPS結(jié)果表明, CNx薄膜中碳氮主要以單鍵連接, sp3雜化的C-N鍵占85%. 在IR光譜中, 僅出現(xiàn)了C-N鍵和CN雙鍵的吸收峰. SEM圖譜顯示CNx薄膜呈顆粒狀, 粒徑平均為80 nm左右. 在水浴加熱條件下沉積的CNx薄膜在200～300 nm近紫外區(qū)為非線性吸收. 薄膜的電阻率隨氮含量的增加而增大, 測量值在1012～1016 Ω*cm之間.

作 者： 張加濤 曹傳寶 呂強 李超 朱鶴孫   作者單位： 北京理工大學材料科學研究中心,北京,100081  刊 名： 高等學�；瘜W學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年，卷(期)： 2003 24(7)  分類號： O614  關(guān)鍵詞： CNx   電化學沉積   陰極   導電玻璃   二氰二胺  

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