具有InAlAs浸潤(rùn)層的InGaAs量子點(diǎn)的制備和特性研究

采用自組裝方法生長(zhǎng)了一種新型的InGaAs量子點(diǎn)/InAlAs浸潤(rùn)層結(jié)構(gòu).通過選取合適的In組分,使InAlAs浸潤(rùn)層的能級(jí)與GaAs勢(shì)壘相當(dāng),從而使浸潤(rùn)層的量子阱特征消失.通過低溫光致發(fā)光(PL)譜的測(cè)試分析得到InGaAs量子點(diǎn)/InAlAs浸潤(rùn)層在樣品中的確切位置.變溫PL譜的研究顯示,具有這種結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)發(fā)光峰的半高全寬隨溫度上升出現(xiàn)展寬,這明顯區(qū)別于普通InGaAs量子點(diǎn)半高全寬變窄的行為.這是因?yàn)椴捎昧薎nAlAs浸潤(rùn)層后,不僅增強(qiáng)了對(duì)InGaAs量子點(diǎn)的限制作用,同時(shí)切斷了載流子的轉(zhuǎn)移通道,使得量子點(diǎn)更加孤立后表現(xiàn)出來的性質(zhì).

作 者： 朱天偉 張?jiān)��?徐波 劉峰奇 王占國(guó)   作者單位： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)開放實(shí)驗(yàn)室,北京,100083  刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(8)  分類號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： InGaAs量子點(diǎn)   InAlAs浸潤(rùn)層   PL譜  

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