電子儲(chǔ)存環(huán)中插入元件的非線性束流動(dòng)力學(xué)的Lie代數(shù)方法

介紹了用能保證哈密頓系統(tǒng)"辛"性質(zhì)的Lie映射方法來(lái)研究電子儲(chǔ)存環(huán)中的插入元件對(duì)束流動(dòng)力學(xué)的影響.并以此方法對(duì)合肥光源中將要安裝的波蕩器UD-1對(duì)儲(chǔ)存環(huán)的影響作了初步的研究.

作 者： 李永軍 王琳 馮光耀 徐宏亮 李為民 劉祖平   作者單位： 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室,合肥,230029  刊 名： 高能物理與核物理  ISTIC SCI PKU 英文刊名： HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS  年，卷(期)： 2003 27(9)  分類號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： 電子儲(chǔ)存環(huán)   插入元件   哈密頓系統(tǒng)   Lie代數(shù)和Lie映射  

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