GaAs高溫退火過程中熱應(yīng)力對晶體缺陷的影響

用X射線衍射技術(shù)分析在高溫退火過程中GaAs晶片和石墨接觸區(qū)域的熱應(yīng)力對晶體缺陷的影響.結(jié)果表明:在高溫退火條件下,GaAs晶體與石墨接觸區(qū)域散熱不均勻造成的熱應(yīng)力,致使該區(qū)域范性形變,從而產(chǎn)生高密度的位錯.GaAs晶體中的刃型位錯受熱應(yīng)力作用向垂直滑移面的平面移動,聚集后可形成小角晶界,從而導(dǎo)致GaAs晶體的晶格參數(shù)和取向均發(fā)生變化.

作 者： 黎建明 屠海令 胡廣勇 王超群 鄭安生 錢嘉裕   作者單位： 北京有色金屬研究總院半導(dǎo)體材料國家工程研究中心,北京,100088  刊 名： 半導(dǎo)體學(xué)報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2003 24(9)  分類號： O471.4  關(guān)鍵詞： GaAs   退火   小角晶界   三軸晶模式衍射  

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