摻Nd納米ZnO薄膜特性研究

研究了用真空蒸發(fā)法在玻璃襯底上制備稀土摻雜納米ZnO薄膜結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電性及光透射性能.結(jié)果顯示,在500 ℃氧化、熱處理稀土元素Nd摻雜后能夠明顯改善納米ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)特性,薄膜的晶粒尺寸隨摻雜含量的增加而減小.摻Nd使ZnO薄膜的電性能有所改善但使納米ZnO薄膜的光透射性有所降低.

作 者： 李健 賽喜雅勒?qǐng)D 郝麗娟   作者單位： 內(nèi)蒙古大學(xué)物理系,呼和浩特,010021  刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2003 23(3)  分類號(hào)： O484.1  關(guān)鍵詞： 真空蒸發(fā)   納米ZnO薄膜   摻雜  

【摻Nd納米ZnO薄膜特性研究】相關(guān)文章：

N 摻雜ZnO薄膜的接觸特性04-26

納米ZnO薄膜制備及液態(tài)源摻雜04-27

In摻雜納米ZnO殺菌性能的研究04-26

RF濺射ZnO薄膜工藝與結(jié)構(gòu)研究04-26

納米硅鑲嵌復(fù)合薄膜退火前后的微結(jié)構(gòu)及發(fā)光特性研究04-26

射頻反應(yīng)濺射制備的ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性04-27

CVD摻硫金剛石薄膜的應(yīng)力研究04-26

納米ZnO去除CH3 SH性能的研究04-26

自持金剛石厚膜上沉積生長(zhǎng)ZnO薄膜及發(fā)光特性04-26

納米ZnO生長(zhǎng)及性質(zhì)分析04-26