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NADH在環(huán)芬化合物修飾石墨電極上的電催化氧化

時(shí)間:2023-04-27 21:55:11 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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NADH在環(huán)芬化合物修飾石墨電極上的電催化氧化

研究環(huán)芬化合物修飾電極的制備、電化學(xué)性質(zhì)及對(duì)NADH的電催化作用.用光譜電化學(xué)法和紅外等手段對(duì)修飾前后的環(huán)芬化合物進(jìn)行了表征.循環(huán)伏安性質(zhì)表明該修飾電極在pH《9的磷酸鹽緩沖溶液中可穩(wěn)定存在,且在0.1mol·L-1磷酸緩沖溶液(pH=6.80)中,-0.25~+0.80V(vs.SCE)電位區(qū)間呈現(xiàn)兩對(duì)氧化還原峰,其中第一對(duì)峰的式量電位EΘ'為+0.300V(vs.SCE),且EΘ'隨pH值增加而負(fù)移,并算得該對(duì)峰的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和參與電極反應(yīng)的質(zhì)子數(shù)均為1.該修飾電極對(duì)NADH的氧化具有良好的催化作用,降低氧化過(guò)電位超過(guò)300mV;并求得在NADH存在下,電極擴(kuò)散系數(shù)為1.4×10-6cm2·s-1,推測(cè)了NADH可能的電催化機(jī)理.NADH濃度在0.05~2.0mmol·L-1范圍內(nèi)與峰電流呈現(xiàn)良好的線性關(guān)系,可在此濃度范圍內(nèi)進(jìn)行定量分析.

作 者: 李國(guó)寶 楊秋霞 王雪琳 LI Guo-bao YANG Qiu-xia WANG Xue-lin   作者單位: 濟(jì)南大學(xué),化學(xué)化工學(xué)院,山東,濟(jì)南,250022  刊 名: 濟(jì)南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)  ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF UNIVERSITY OF JINAN(SCIENCE AND TECHNOLOGY)  年,卷(期): 2008 22(1)  分類號(hào): O657  關(guān)鍵詞: 煙酰胺腺嘌呤二核苷酸   環(huán)芬   石墨修飾電極   光譜電化學(xué)   電催化  

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