PCS中基線值對(duì)累積法反演結(jié)果的影響分析

針對(duì)光強(qiáng)自相關(guān)函數(shù)與歸一化光場(chǎng)自相關(guān)函數(shù)之間的關(guān)系,指出基線值的不同會(huì)影響到顆粒粒徑和分散度的測(cè)量結(jié)果.分析了納米顆粒尺寸和分散度測(cè)定的光子相關(guān)光譜技術(shù)中的累積算法.利用光子相關(guān)光譜技術(shù)對(duì)三種不同材料共五種尺寸的顆粒進(jìn)行了測(cè)試分析,結(jié)果顯示:測(cè)量基線方法不同,對(duì)應(yīng)的基線值會(huì)不同,利用累積法反演得到的顆粒粒徑和分散度的結(jié)果也會(huì)不同.從理論上分析了反演結(jié)果不同的原因.本文確認(rèn)了自動(dòng)斜率法是較恰當(dāng)?shù)拇_定基線的方法.

作 者： 劉桂強(qiáng) 楊冠玲 周述蒼 曾思明 韓鵬 LIU Gui-qiang YANG Guan-ling ZHOU Shu-cang ZENG Si-ming HAN Peng   作者單位： 華南師范大學(xué),物理與電信工程學(xué)院,廣州,510006  刊 名： 光電工程  ISTIC PKU 英文刊名： OPTO-ELECTRONIC ENGINEERING  年，卷(期)： 2008 35(3)  分類號(hào)： O432.2  關(guān)鍵詞： 光子相關(guān)光譜法   納米顆粒測(cè)量   累積法   有效直徑   分散度  

【PCS中基線值對(duì)累積法反演結(jié)果的影響分析】相關(guān)文章：

革蘭氏染色結(jié)果的影響因素及原因分析10-10

虛擬測(cè)點(diǎn)對(duì)ITD法識(shí)別結(jié)果的影響04-27

用玻璃電極法準(zhǔn)確測(cè)定溶液中pH值的分析路徑04-26

MBR中胞外聚合物累積對(duì)污泥性質(zhì)的影響04-26

大氣中TSP和降塵對(duì)土壤重金屬累積的影響04-25

云頂高度對(duì)紫外輻射反演臭氧總量的影響04-27

臭氧氧化法處理苯酚廢水的影響因素分析04-26

基于未確知三值判斷的層次分析法04-27

多基線數(shù)字近景攝影測(cè)量系統(tǒng)的應(yīng)用分析04-26

層次分析法在定量分析中的應(yīng)用04-26