MgB2超導(dǎo)體含碳摻雜研究進(jìn)展

MgB2超導(dǎo)體具有臨界轉(zhuǎn)變溫度39 K、原材料廉價(jià)及制備工藝簡單等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是MRI中已用超導(dǎo)體最好的替代者.但是臨界電流密度(Jc)隨外加磁場增大下降較快的這一問題極大的阻礙了其實(shí)際中的應(yīng)用.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:采取摻雜的方法來提高M(jìn)gB2的超導(dǎo)電性尤其是高場下Jc值是一條有效的途徑,本文概述了用單質(zhì)碳和含碳化合物對MgB2超導(dǎo)體進(jìn)行摻雜從而提高其超導(dǎo)特性的最新研究工作,具體介紹了摻雜物顆粒大小、摻雜量以及燒結(jié)溫度等參數(shù)對MgB2超導(dǎo)電性的影響.研究表明:在碳單質(zhì)摻雜中納米級碳顆粒和碳納米管具有比較好的摻雜性能,可以大幅度提高高場下的Jc值;在含碳化合物中,用納米級SiC進(jìn)行摻雜不僅可以大幅度提高高場下的Jc值,而且相比碳單質(zhì)有更高的Tc值.根據(jù)目前的研究結(jié)果,最后本文對MgB2超導(dǎo)體摻雜研究的未來發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望.

作 者： 張子立 索紅莉 馬麟 高培闊 王朝 劉敏 曹玲柱 趙躍 李亞明 周美玲 ZHANG Zi-li SUO Hong-li MA Lin CAO Pei-kuo WANG Zhao LIU Min CAO Ling-zhu ZHAO Yue LI Ya-ming ZHOU Mei-ling   作者單位： 北京工業(yè)大學(xué)材料學(xué)院,國家教育部功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京,100022  刊 名： 低溫物理學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年，卷(期)： 2008 30(3)  分類號： O51  關(guān)鍵詞： MsB2超導(dǎo)體   臨界電流密度Jc   含碳摻雜  

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