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紅外InGaAs/InP單光子探測器的溫度特性研究
分析了SAGM-APD單光子探測器暗電流產(chǎn)生的機(jī)理;得出工作溫度和偏置電壓是影響SAGM InGaAs/InP單光子探測器探測性能的重要因素.通過實(shí)驗,分析了三種APD在不同溫度下暗電流、光電流與偏置電壓的關(guān)系曲線,得出一些結(jié)論.
熊予瑩,XIONG Yu-ying(華南師范大學(xué)物理與電信工程學(xué)院,廣東,廣州,510006)
廖?,LIAO Chang-jun(華南師范大學(xué)信息光電子科技學(xué)院,廣東,廣州,510006)
刊 名: 量子光學(xué)學(xué)報 ISTIC PKU 英文刊名: ACTA SINICA QUANTUM OPTICA 年,卷(期): 2008 14(3) 分類號: O431 關(guān)鍵詞: 量子光學(xué) 單光子探測器 雪崩光電二極管 光電流 暗電流【紅外InGaAs/InP單光子探測器的溫度特性研究】相關(guān)文章:
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