金屬環(huán)境中低能D(d, p)T反應(yīng)的研究

近年來(lái)一系列實(shí)驗(yàn)表明,金屬環(huán)境中的低能帶電粒子引起的核反應(yīng)截面與氣體靶中的相比出現(xiàn)明顯增大,這種現(xiàn)象通常被歸結(jié)為電子屏蔽效應(yīng). 全面介紹了金屬環(huán)境中D(d, p)T反應(yīng)電子屏蔽效應(yīng)的測(cè)量方法、數(shù)據(jù)分析和實(shí)驗(yàn)結(jié)果的規(guī)律性,并簡(jiǎn)要論述了包括德拜等離子體模型在內(nèi)的各種理論模型對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的解釋. 通過(guò)研究,可以獲得有關(guān)核物理、核天體物理和凝聚態(tài)物理的寶貴知識(shí).

作 者： 呂會(huì)議 王鐵山 陳建勇 楊振 劉盛進(jìn) 方開洪 Lü Hui-yi WANG Tie-shan CHEN Jian-yong YANG Zhen LIU Sheng-jin FANG Kai-hong   作者單位： 蘭州大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,甘肅,蘭州,730000  刊 名： 原子核物理評(píng)論  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR PHYSICS REVIEW  年，卷(期)： 2008 25(3)  分類號(hào)： O571.4  關(guān)鍵詞： 低能核反應(yīng)   電子屏蔽效應(yīng)   德拜模型  

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