N 摻雜ZnO薄膜的接觸特性

氧化鋅(ZnO)是一種直接帶隙半導(dǎo)體材料,室溫下帶隙為3.37 eV,激子束縛能為60 meV.ZnO因其優(yōu)越的光電特性在高亮度藍紫光發(fā)光器件、紫外探測器件和短波長激子型激光器等方面具有廣闊的應(yīng)用前景.而要實現(xiàn)大功率的光電器件,穩(wěn)定可靠的歐姆接觸是必需的.研究了氮氣氛條件下,不同溫度快速退火對氮摻雜ZnO樣品的電學(xué)性質(zhì)以及Ni/Au與其接觸特性的影響.原生樣品表現(xiàn)為弱的肖特基接觸,適當(dāng)溫度退火后,由肖特基轉(zhuǎn)成了歐姆接觸, 650 ℃退火后得到最小比接觸電阻率8×10-4 Ω·cm2.霍爾測量表明550 ℃快速退火后,樣品的導(dǎo)電類型由p型轉(zhuǎn)變成了n型.采用AES和GXRD分別研究了不同退火溫度下Au、Ni、Zn、O的深度分布變化及退火后所生成的合金相.實驗結(jié)果表明,退火所導(dǎo)致的薄膜電學(xué)性質(zhì)的變化以及界面態(tài)和表面態(tài)的增加是接觸特性變化的原因.

作 者： 單正平 顧書林 朱順明 劉偉 劉少波 劉雪冬 湯琨 張榮 鄭有炓 SHAN Zheng-ping GU Shu-lin ZHU Shun-ming LIU Wei LIU Shao-bo LIU Xue-dong TANG Kun ZHANG Rong ZHENG You-liao   作者單位： 南京大學(xué)物理系,江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,江蘇,南京,210093  刊 名： 發(fā)光學(xué)報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2008 29(3)  分類號： O482.31  關(guān)鍵詞： N'摻雜ZnO   Ni/Au   快速退火   歐姆接觸  

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