ZnSe復(fù)合孿晶納米帶的TEM表征

通過(guò)熱蒸發(fā)的方法在鍍金的硅襯底上得到了硒化鋅(ZnSe)復(fù)合孿晶納米帶.利用透射電鏡選區(qū)電子衍射(SAED)方法并結(jié)合明場(chǎng)像確定了ZnSe復(fù)合孿晶納米帶的結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)方向,發(fā)現(xiàn)ZnSe復(fù)合孿晶納米帶由取向互為{113}鏡面孿晶的兩個(gè)納米子帶組成,單個(gè)納米子帶又由納米量級(jí)的<111>旋轉(zhuǎn)孿晶片層構(gòu)成.采用會(huì)聚束電子衍射(CBED)技術(shù)確定了ZnSe復(fù)合孿晶納米帶沿<111>方向的極性.根據(jù)CBED結(jié)果并結(jié)合實(shí)驗(yàn)過(guò)程的設(shè)定,對(duì)ZnSe復(fù)合孿晶納米帶的形成機(jī)制進(jìn)行了討論.

作 者： 曹廣義 金磊 王建波 CAO Guang-yi JIN Lei WANG Jian-bo   作者單位： 武漢大學(xué),物理學(xué)院,聲光材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖北武漢430072;武漢大學(xué),電子顯微鏡中心,湖北武漢430072  刊 名： 電子顯微學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY  年，卷(期)： 2008 27(3)  分類號(hào)： O762 O766+.1 TN304.2+5  關(guān)鍵詞： 復(fù)合孿晶納米帶   硒化鋅   會(huì)聚束電子衍射   選區(qū)電子衍射  

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