納米硅鑲嵌復(fù)合薄膜退火前后的微結(jié)構(gòu)及發(fā)光特性研究

采用減壓化學(xué)氣相沉積方法,依靠純N2稀釋的SiH4氣體的熱分解反應(yīng),在玻璃表面生長了納米硅鑲嵌的復(fù)合薄膜.實(shí)驗(yàn)研究了退火前后薄膜樣品的結(jié)晶狀態(tài)和光致發(fā)光特性.結(jié)果表明,未退火樣品的光致發(fā)光特性隨沉積溫度升高反而減弱.退火溫度Ta＞600℃時,晶化趨勢明顯,Ta＜600℃時,退火溫度對晶化的貢獻(xiàn)不大,但提高退火溫度或延長退火時間可以增加PL強(qiáng)度.同時在退火樣品中發(fā)現(xiàn)Si-Ox的單晶結(jié)構(gòu).通過Raman、PL、TEM的分析比較,認(rèn)為在退火前后分別有兩種不同的發(fā)光機(jī)制起主導(dǎo)作用.

作 者：   作者單位：   刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2004 24(z1)  分類號： O484.4  關(guān)鍵詞： 納米硅   化學(xué)氣相沉積   退火   光致發(fā)光  

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