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PCDD/F從頭合成的影響因素和抑制方法

時(shí)間:2023-04-30 02:49:42 環(huán)境保護(hù)論文 我要投稿
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PCDD/F從頭合成的影響因素和抑制方法

通過(guò)對(duì)垃圾焚燒過(guò)程中PCDD/F的從頭合成條件和影響因素進(jìn)行分析,總結(jié)了CuCl2、未燃盡C元素、O2分壓和溫度等對(duì)PCDD/F從頭合成的影響規(guī)律.發(fā)現(xiàn)CuCl2是各因素中影響最大也最為明顯的催化劑;250~450℃是PCDD/F從頭合成的適宜溫度區(qū)間,在300℃左右時(shí)合成量達(dá)到最大值.總結(jié)了抑制PCDD/F從頭合成的具體方法和措施,在此基礎(chǔ)上成功研制了一臺(tái)日處理能力為3t/d的醫(yī)療垃圾熱解裝置,通過(guò)對(duì)產(chǎn)生的熱解氣和固體殘留物抽樣化驗(yàn),表明該裝置能夠?qū)⒋蟛糠諬Cl、SO2等有害成分固化在垃圾熱解后剩余的殘?jiān)?而熱解氣中所含的HCl、SO2等物質(zhì)則很少,遠(yuǎn)低于國(guó)家規(guī)定的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn),能夠較好地抑制PCDD/F的從頭合成,減少對(duì)環(huán)境造成的二次污染.

作 者: 馬洪亭 張于峰 MA Hongting ZHANG Yufeng   作者單位: 天津大學(xué)環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院,天津,300072  刊 名: 化工進(jìn)展  ISTIC PKU 英文刊名: CHEMICAL INDUSTRY AND ENGINEERING PROGRESS  年,卷(期): 2006 25(5)  分類號(hào): X705  關(guān)鍵詞: 二(口惡)英   從頭合成   熱解裝置  

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