什么是內(nèi)存類型

　　在學(xué)習(xí)中，很多人都經(jīng)常追著老師們要知識(shí)點(diǎn)吧，知識(shí)點(diǎn)是指某個(gè)模塊知識(shí)的重點(diǎn)、核心內(nèi)容、關(guān)鍵部分。相信很多人都在為知識(shí)點(diǎn)發(fā)愁，下面是小編幫大家整理的什么是內(nèi)存類型，歡迎閱讀與收藏。

　　目前工作站中常用的內(nèi)存有SDRAM、DDR及RAMBUS等幾種內(nèi)存。

　　SDRAM

　　SDRAM是“Synchronous Dynamic random access memory”的縮寫，意思是“同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”，就是我們平時(shí)所說的“同步內(nèi)存”，這種內(nèi)存采用168線結(jié)構(gòu)，如上圖，它的插槽示意圖如下：

　　DDR

　　DDR是一種新誕生的內(nèi)存技術(shù)，DDR，英文原意為“DoubleDataRate”，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也就意味著有“單”，我們?nèi)粘Ｋ�使用的SDRAM都是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”，這種內(nèi)存的特性是在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中，在一個(gè)方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作（讀或?qū)懀�，而DDR則引用了一種新的設(shè)計(jì)，其在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中，在方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作，在方波的下降沿時(shí)也做一次操作，之所以在一個(gè)時(shí)鐘周期中，DDR則可以完成SDR兩個(gè)周期才能完成的任務(wù)，所以理論上同速率的DDR內(nèi)存與SDR內(nèi)存相比，性能要超出一倍，可以簡(jiǎn)單理解為100MHZ DDR=200MHZ SDR。

　　DDR內(nèi)存采用184線結(jié)構(gòu)，DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM，要求專為DDR設(shè)計(jì)的主板與系統(tǒng)，如下圖：

　　DDR2 SDRAM內(nèi)存詳解

　　RAMBUS

　　RAMBUS內(nèi)存是RAMBUS公司推出的新一帶內(nèi)存，這種內(nèi)存能夠提供十倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能，單根的RAMBUS DRAM，即RDRAM，在16位的數(shù)據(jù)傳輸通道上速度可高達(dá)800MHz。

　　1)SDRAM

　　SDRAM，即SynchronousDRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)，曾經(jīng)是PC電腦上最為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型，即便在今天，SDRAM仍舊還在市場(chǎng)占有一席之地。既然是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，那就代表著它的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的。

　　SDRAM內(nèi)存又分為PC66、PC100、PC133等不同規(guī)格，而規(guī)格后面的數(shù)字，就代表著該內(nèi)存最大所能正常工作的系統(tǒng)總線速度，如PC100，那就說明此內(nèi)存可以在系統(tǒng)總線為100MHz的電腦中同步工作。

　　與系統(tǒng)總線速度同步，也就是與系統(tǒng)時(shí)鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間。同步還使存儲(chǔ)控制器知道在哪一個(gè)時(shí)鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請(qǐng)求使用，因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM采用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM接口，帶寬為64位。SDRAM不僅應(yīng)用在內(nèi)存上，在顯存上也較為常見。

　　2)DDR

　　嚴(yán)格的說，DDR應(yīng)該叫DDRSDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR。部分初學(xué)者也�？吹紻DRSDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。

　　DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系。因此，對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

　　SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。因此，稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下，達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

　　與SDRAM相比，DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)輸送和輸出的主要步驟，既獨(dú)立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步。DDR使用了DLL(DelayLockedLoop，延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí)，存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率，就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。

　　從外形體積上看，DDR與SDRAM相比差別并不大。他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個(gè)針腳，主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。

　　3)RDRAM

　　RDRAM(RambusDRAM)是美國(guó)的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時(shí)，因?yàn)槠鋸氐赘淖兞藘?nèi)存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM，還必須要加納一定專利費(fèi)用，再加上其本身制造成本，就導(dǎo)致了RDRAM從一問世就高昂的價(jià)格，讓普通用戶無法接收。而同時(shí)期的DDR則能以較低的價(jià)格，不錯(cuò)的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。

　　RDRAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位寬是16位，遠(yuǎn)低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面，則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于二者，可以達(dá)到400MHz乃至更高。同樣也是在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，內(nèi)存帶寬能達(dá)到1.6Gbyte/s。

　　普通的DRAM行緩沖器的信息，在寫回存儲(chǔ)器后便不再保留，而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性，于是在進(jìn)行存儲(chǔ)器訪問時(shí)，如行緩沖器中已經(jīng)有目標(biāo)數(shù)據(jù)，則可利用，因而實(shí)現(xiàn)了高速訪問。另外，其可把數(shù)據(jù)集中起來，以分組的形式傳送。所以，只要最初用24個(gè)時(shí)鐘，以后便可每1時(shí)鐘讀出1個(gè)字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，可以達(dá)到256字節(jié)。

　　4)DDR2

　　DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM，是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕�本方式，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。換句話說，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍于外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

　　DDR和DDR2技術(shù)對(duì)比的數(shù)據(jù)此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200，經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度。隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。

【什么是內(nèi)存類型】相關(guān)文章：

什么是內(nèi)存類型12-13

什么是內(nèi)存類型12-13

什么是內(nèi)存類型12-13

什么是內(nèi)存類型12-13

什么是內(nèi)存類型12-13

什么是內(nèi)存類型12-13

內(nèi)存·什么是適用類型12-13

內(nèi)存·什么是傳輸類型12-13

CPU·什么是支持內(nèi)存類型12-13