內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞，

內(nèi)存電壓,內(nèi)存電壓設(shè)置方法

。

　　SDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動(dòng)額度不超過(guò)0.3伏；DDR SDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動(dòng)額度不超過(guò)0.2伏；而DDR2 SDRAM內(nèi)存的工作電壓一般在1.8V左右，

電腦資料

《內(nèi)存電壓,內(nèi)存電壓設(shè)置方法》(http://www.szmdbiao.com)。

　　具體到每種品牌、每種型號(hào)的內(nèi)存，則要看廠家了，但都會(huì)遵循SDRAM內(nèi)存3.3伏、DDR SDRAM內(nèi)存2.5伏、DDR2 SDRAM內(nèi)存1.8伏的基本要求，在允許的范圍內(nèi)浮動(dòng)。略微提高內(nèi)存電壓，有利于內(nèi)存超頻，但是同時(shí)發(fā)熱量大大增加，因此有損壞硬件的風(fēng)險(xiǎn)。